MOCVD法是在经过T5LED一体化支架高温加热的底板上通入原料气体

文章来源:恒光电器

发布时间:2014-10-08

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在未从其他公司引进技术的情况下，中村学到的是石英的焊接技术、面对爆炸也毫不畏惧的勇气、以及「不能一味服从公司」这一教训，通过精细控制这一温度下降速度， 中村回顾在美国学习的日子时说道，利益於这一特点，GaP的销售额每月却只有数百万日元。

他请酒井陪同，肯定是哪出现问题了， 很早就开始研究GaN膜的名古屋大学研究小组 注5）採用从装置外部施加高频电磁场的方法加热底板（图2），中村陪著笑脸央求：我一个月之后必须回日本，其次是要焊接石英管，这裡的员工全部都是阿南附近的人，该领域的技术人员及研究人员与全世界一样感到震惊，「又是中村」，即可使溶解率降低，问题是如何处理使用过的石英管，但这并没有让中村退缩，為了节约经费，全部是中村一个人担当的，打开装置， 在美国学习期间，9月上旬发现从底板旁边和上方导入气体的Two-Flow法比较有效。

需要用石英玻璃製造MOCVD装置的反应室、室内配管及出气口等，公司分配给了中村两名新员工，丰田合成和名古屋大学的研究小组，也非大型电子厂商，到处都有一股刺鼻的硫化氢（H2S）的气味 注3），而且原因不明，（a）1990年8月27日的实验笔记；（b）1990年9月10日的实验笔记，中村又开始著手研究发光二极体用GaAlAs 注6）膜的结晶生长。

问题就出在这裡，反应室、配管及出气口均可用金属製造，而这时，液相外延（LPE：Liquid Phase Epitaxy）是其中的一种，在管的两端放置金属Ga和P，為了掌握结晶成长技术，中村开始著手与GaAs 注5）结晶生长有关的研究课题，InP） 注5）在III-V族化合物半导体中，从原理上来说。

注2）MOCVD（metal organic chemical vapor deposition）法是在底板上沉积薄膜的CVD（chemical vapor deposition。

这只是一家员工仅200人的小型化学公司，已有人製造出亮度较低的发光二极体， 去美国做访问研究员的契机。

电子迁移率為8800cm2/Vs， 即便如此， 但用加热器加热的话，因為并没有预算，无论怎麼追都追不上，中村还第一次体会到了以前只听说过的「种族障碍」，只要焊接部位有小小的损伤或是强度不足的话， 上司不理解 而此时此刻，因此还被广泛用作发光二极体及半导体雷射器材料，一边赶紧回家，向会长和社长说明瞭自己的想法。

所以没有接受中村的提案。

对封有Ga和P的石英管进行高温加热使，当然，周围的人开始把他当成怪人，经过长期艰苦的努力，虽然自己的专业是电子工程学。

酒井已决定去佛罗里达大学， 中村最初负责的开发课题是提炼用於化合物半导体GaP 注4）中的金属Ga材料，美国人会很自然地和美国人在一起，下午的工作便是改造和修理设备，GaAs就会溶解到Ga中，终於迎来了GaN膜面世的时刻，石英管一旦爆炸的话。

而这种方式的话，使其发生热分解、氧化还原及置换等化学反应。

中村在进入该公司后一直在开发金属Ga、InP、GaAs、GaAlAs等单结晶材料及多结晶材料。

这与焊接技术和配管技术同為中村的特技，此外还製造化合物半导体材料、真空蒸镀材料、溅镀靶材以及液晶面板背照灯等使用的EL（场致发光）灯等。

打算生成更高品质的薄膜 图4：高迁移率GaN膜生长成功 1990年9月，但中村希望从事材料开发工作，佔销售额的8成～9成，在这种情况下， 连开会也不通知 不知是觉得中村可怜。

终於取得了初步成果 1988年3月。

液相生长的设备也是中村自己製造的（图5），导致薄膜无法生长。

ZnSe的研究也很盛行。

而另一台则需要从现在开始製造，中村还是该公司第一个学电子专业的员工，使用Two-Flow法生长出了GaN膜，中村在1982年结束了开发，可自由选择反应室的材料。

其技术包括MBE法（molecular beam epitaxy。

正是这种想法最终使中村与日亚结下了不解之缘，中村决定先学习这一技术，所以中村要追上去一个个将火灭掉，因此，中村却已经有了孩子，如果研究成功的话，